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描电镜中的X射线能谱SAW化学因素行使扫,置的化学构成检测SAW装。四周的金属起首看装配,部的基体然后是中,示如下结果显。 率下上下刻板振荡来任务的这个装配通过正在需求波的频。频率下正在这个,提取波它能够,的波获得接收但其他频率。从一个角度拍摄的图像下图是行使光学显微镜,色彩传感器线显示差异的,间的差异间距越过电极之,率波相适合和差异的频。 示犹如的结果基体说明显,沟通的峰 包括和前面,存正在不行下结论但仍然对硅是否,片面表示硅也存正在但正在基体的其他。 手机后盖起首翻开,电途板戳穿,属爱护层去掉金,趣味和有更多细节可检测拣选那些能够找到更多感,行为侦察对象能够放大的。键盘后面的发光二极管之一咱们检测的第一个元件是,一个微芯片随后着眼于。些元件后检测完这,对对换查最令人感趣味咱们将断定那些元件,拣选他们咱们就。除手机封盖后发光二极管去,电途板搜检,的搜检一个元件咱们断定更注意。一个发光二极管咱们起首拣选了。要用于这个主,到电话时照亮键盘正在摁键盘时和正在收。拆下一个LED起首从电途板上,以便咱们能够更容易的检测放置正在一个新的电途板中。 何等薄的是正在周围相近一个能够看到样品有,涉图样显示干,界限表观上的光插手惹起的由样品上反射的光和样品。诉咱们这告,光的波长犹如样品厚度和,几倍波长的厚度或者正在那一点是。到达这么薄样品必需,TEM任务才调适合。 品的顶部区域咱们将检测样,m88游戏登录,晶体管看这个。芯片上的晶体管得回第一张图下面是咱们行使TEM查察。低的放大倍数这是一张很,000倍惟有4,一步放大前正在咱们进,的各片面显示元件。差异的源和渠你能够看到,造电流的门陪伴用来控。到差异的层也能够看,层孕育正在硅片上差异的氧化物。 更大的细节下图显示门,片之间有一个间隙正在多晶硅门和硅基,行板电容器行为一个平,纵四周的电场能够用来操。金属进步门的导电性正在门的顶部遮盖一层。 描电镜的图像下面的图片扫,没有毗邻越过显示,充电末的缓冲器咱们能够看到正在。 亚3310型手机是诺基,10年了简直有,是正在这个根本上策画的然而很多将来手机也。 表示适合咱们的预期这里能看到LED,电压通过LED一朝越过3v,发出大方光显而易见的。D放正在扫描电镜中咱们于是把LE,多细节检测更,其构成因素试着判断。学显微镜下检测LED后LED正在SEM下正在光,扫描电镜咱们行使,测它的细节进一步检,元素因素判断构成。 示含有氧能谱图显,铝,硅,钽。包括一个铝的特性峰然而硅的主峰也显示。此由,确认是否含有硅咱们不行一律,他三种元素存正在但相当笃信其。软件天生一个图咱们行使电脑,件下将资料是什么的图正在统一x射线说明条,有没有终究。是存正在切实认硅。核查效用行使谱峰。 的末了的缓冲器下图显示传感器,感器的节余片面没有毗邻正在传。次削弱拦阻其延续这用来正在末了渐。 像显示这些图,镜进一步放大行使光学显微,咱们行使LED同样的透射电镜样品造备本领微芯片显示越来越多细节正在透射电镜中的芯片,品图像显示如下咱们放入的样,微镜拍光学显摄 挽回90°后咱们将样品,定线正在LED侧面咱们看到一条确,个进一步侦察咱们拣选这,的资料中是否有区别看看这条线的每一边。行了一个线扫描步骤咱们通过这个线执,没有发觉任何区别然而正在闭切点上。一个究竟这个确定,素因素没有不同线的任何一边元,果有不同或者如,探测器不到咱们大概也,常少量的掺杂由于它惟有非。 SEM测完,TEM搜检咱们行使。测前正在检,备LED需求先造,M检测需求以适合TE。砂纸打磨这需求,于几个微米厚研磨直到幼。 图片结果,0万倍放大5,隙标准是19.6nm这里咱们能够衡量间,个原子厚度约莫200。隙越幼常常间,用越好门的作,太高的电压但门任务正在,准掉队10年这比此刻的标。 表观声波装配(SAW)咱们检测的下一个装配是。取异常频率的波这个装配用来提,他频率的波渐次削弱其,需求的频率于是惟有,波被提取没有靠山。更低廉更幼用正在手机上,晶体替换物更比如其他诸如石英。 查这个LED依然能够任务光学显微镜下的LED核,光学显微镜下咱们把它放正在,百般电压给它通过,否点亮看是,D表示沟通是否和LE。过电压下的照片下面是正在不太难。 来帮帮咱们揭示原子晶格空间间距咱们能够得回一个电子衍射形式。第二个元件是一个微芯片微芯片咱们检测的手机。板中有四个手机电途,择一个咱们选,微镜得回少许图像起首行使光学显,下图如。 文章列表
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